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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA2030T2L由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA2030T2L价格参考。ROHM Semiconductor2SA2030T2L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SA2030T2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA2030T2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的晶体管型号2SA2030T2L属于PNP型双极结型晶体管(BJT),常用于需要高频率和高功率放大的电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 音频功率放大器:该晶体管适用于音频设备中的功率放大电路,如音响系统、功放设备等,能够提供较高的输出功率和良好的音质表现。 2. 高频放大器:由于其具备良好的高频响应特性,2SA2030T2L也常用于射频(RF)或高频信号放大电路中,如无线通信设备、发射机等。 3. 开关电路:在需要高速开关操作的电路中,例如电源管理、马达控制或LED驱动等应用,该晶体管可作为高效开关元件使用。 4. 工业控制设备:该器件适用于工业自动化系统中的信号处理与功率控制模块,如传感器接口电路、继电器驱动电路等。 5. 消费类电子产品:如电视机、音响、电源适配器等产品中,用于功率调节与信号放大。 该晶体管采用SOT-89封装,具备较好的散热性能,适合在中功率应用场景中使用。设计时需注意其最大额定参数,如集电极电流、功耗和工作温度范围,以确保稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 12V 0.5A VMT3两极晶体管 - BJT PNP 12V 0.5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SA2030T2L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA2030T2L |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 10mA,200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 270 @ 10mA,2V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | 2SA2030T2LCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 260 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | VMT-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 500 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 680 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 15 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 100 V |
| 频率-跃迁 | 260MHz |