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  • 型号: MMBT2484LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMBT2484LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2484LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2484LT1G价格参考¥0.17-¥0.20。ON SemiconductorMMBT2484LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 100mA 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBT2484LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT2484LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBT2484LT1G 是一款由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型。它主要应用于低功率放大和开关电路中,适用于多种电子设备。以下是其常见的应用场景:

1. 信号放大:  
   MMBT2484LT1G 可用于音频信号放大器、射频(RF)信号放大器以及其他需要小信号放大的场合。它的高增益特性使其非常适合处理微弱信号。

2. 开关应用:  
   该晶体管可以用作电子开关,在数字电路中控制负载的通断。例如,驱动继电器、小型电机或 LED 等低功率负载。

3. 电源管理:  
   在一些简单的电源管理电路中,MMBT2484LT1G 可用作电流调节器或电压调节器的一部分,帮助稳定输出电压或限制电流。

4. 传感器接口:  
   它可以用来放大来自传感器的微弱信号,例如温度传感器、光敏电阻或其他低输出信号的传感器。

5. 通信设备:  
   在低频或中频通信电路中,该晶体管可用于信号调制、解调以及数据传输的前端处理。

6. 消费电子产品:  
   常见于遥控器、玩具、便携式音响等小型电子设备中,用于控制功能或信号处理。

7. 工业控制:  
   在某些工业自动化系统中,MMBT2484LT1G 可用于驱动指示灯、蜂鸣器或其他小型执行器。

由于其封装形式(SOT-23)体积小巧且易于安装,MMBT2484LT1G 特别适合对空间要求较高的设计。此外,其低功耗和高可靠性的特点也使其成为许多低成本、高性能应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS GP SS NPN 60V SOT23两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT2484LT1G-

数据手册

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产品型号

MMBT2484LT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

350mV @ 100µA, 1mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

250 @ 1mA,5V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBT2484LT1GOSCT

功率-最大值

225mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

250

系列

MMBT2484L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极—射极饱和电压

0.35 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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