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MMBT2484LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2484LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2484LT1G价格参考¥0.17-¥0.20。ON SemiconductorMMBT2484LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 100mA 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBT2484LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT2484LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT2484LT1G 是一款由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型。它主要应用于低功率放大和开关电路中,适用于多种电子设备。以下是其常见的应用场景: 1. 信号放大: MMBT2484LT1G 可用于音频信号放大器、射频(RF)信号放大器以及其他需要小信号放大的场合。它的高增益特性使其非常适合处理微弱信号。 2. 开关应用: 该晶体管可以用作电子开关,在数字电路中控制负载的通断。例如,驱动继电器、小型电机或 LED 等低功率负载。 3. 电源管理: 在一些简单的电源管理电路中,MMBT2484LT1G 可用作电流调节器或电压调节器的一部分,帮助稳定输出电压或限制电流。 4. 传感器接口: 它可以用来放大来自传感器的微弱信号,例如温度传感器、光敏电阻或其他低输出信号的传感器。 5. 通信设备: 在低频或中频通信电路中,该晶体管可用于信号调制、解调以及数据传输的前端处理。 6. 消费电子产品: 常见于遥控器、玩具、便携式音响等小型电子设备中,用于控制功能或信号处理。 7. 工业控制: 在某些工业自动化系统中,MMBT2484LT1G 可用于驱动指示灯、蜂鸣器或其他小型执行器。 由于其封装形式(SOT-23)体积小巧且易于安装,MMBT2484LT1G 特别适合对空间要求较高的设计。此外,其低功耗和高可靠性的特点也使其成为许多低成本、高性能应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS GP SS NPN 60V SOT23两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT2484LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT2484LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 350mV @ 100µA, 1mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 250 @ 1mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBT2484LT1GOSCT |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 225 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 |
系列 | MMBT2484L |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.35 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |