Datasheet下载- 型号： NJVMJD112G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD112G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD112G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD112G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NJVMJD112G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVMJD112G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NJVMJD112G是一款双极结型晶体管（BJT），属于单晶体管器件。该器件常用于需要高可靠性和稳定性的电路设计中，适用于多种电子应用领域。 其主要应用场景包括： 1. 开关电路：NJVMJD112G可作为电子开关使用，广泛应用于数字电路、电源控制、继电器驱动等场景，具备良好的导通与截止特性。 2. 放大电路：该晶体管适用于低频信号放大，如音频放大器、传感器信号调理电路等，能够有效提升信号强度。 3. 汽车电子系统：由于ON Semiconductor的BJT产品通常具备较高的环境适应性和可靠性，NJVMJD112G常用于汽车控制系统，如车身控制模块、照明系统、电机驱动等。 4. 工业控制设备：在工业自动化和控制电路中，该晶体管可用于驱动继电器、指示灯、小型电机等负载。 5. 消费类电子产品：如电源适配器、充电器、家用电器控制板等，作为基础开关或放大元件使用。 6. 电源管理：在DC-DC转换器、稳压电路等电源管理模块中，用于实现高效的功率控制。 综上所述，NJVMJD112G因其良好的性能和可靠性，广泛应用于汽车、工业、消费电子等多个领域，适合于中低功率的开关与放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIP 2A 100V DPAK-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NJVMJD112G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 40mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 2A，3V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 20µA |
| 频率-跃迁 | 25MHz |
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