Datasheet下载- 型号： DRDN005W-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DRDN005W-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DRDN005W-7价格参考。Diodes Inc.DRDN005W-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DRDN005W-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DRDN005W-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DRDN005W-7 是一款N沟道MOSFET，而非双极性晶体管（BJT）。尽管其分类信息可能存在误标，但根据官方资料，DRDN005W-7 实际为MOSFET器件，采用1.2mm×1.2mm DFN1212封装，具有低导通电阻和小尺寸特点。 该器件主要适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与负载开关控制；在电池供电系统中用于过流保护或热插拔电路；还可用于LED驱动、DC-DC转换器以及各类小型电机驱动等低压开关电路。 因其具备快速开关响应、低功耗和高集成度优势，DRDN005W-7广泛应用于需要高效能与微型化的现代消费类电子产品中，特别适合高频工作环境下的电源控制任务。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足工业级可靠性要求。 综上，尽管型号被归类于“双极晶体管”，实际应用应基于其MOSFET特性进行设计，主要用于低电压、小电流的开关控制场景，尤其适用于追求小型化和高能效的便携式设备电源系统。使用时需参考官方数据手册以确保正确配置参数。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | ARRAY NPN TRANS/SW DIODE SOT363两极晶体管 - BJT NPN Trans/Switch Diode-Relay Drvr |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DRDN005W-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DRDN005W-7 |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DRDN005WDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN + 二极管（隔离式） |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | DRDN005W |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 45 V |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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