Datasheet下载- 型号： 2SA1312GRTE85LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1312GRTE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1312GRTE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1312GRTE85LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SA1312GRTE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1312GRTE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA1312GRTE85LF是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款PNP型双极结型晶体管（BJT），属于晶体管-双极（BJT）-单类别。该器件广泛应用于中低功率的模拟和数字电路中，适用于需要高可靠性和稳定性能的电子设备。 典型应用场景包括： 1. 开关电路：作为电子开关用于控制小电流负载，如继电器驱动、LED控制、电源管理模块等； 2. 信号放大：在音频设备、传感器信号调理电路中用作前置放大器，提升微弱信号； 3. 电源管理：在DC-DC转换器、电压调节器中配合其他元件实现稳压功能； 4. 消费类电子产品：广泛用于电视、音响、家用电器等内部控制电路； 5. 工业控制：用于PLC模块、电机驱动接口、光耦驱动等工业自动化系统中。 该晶体管具有良好的增益特性、快速开关响应和较高的可靠性，采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似），适合高密度PCB布局，节省空间。同时，产品符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺。 综上，2SA1312GRTE85LF是一款性能稳定的通用型PNP晶体管，特别适用于消费电子、工业控制和电源管理中的信号切换与小功率放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI两极晶体管 - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1371736&lineid=50&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1312GRTE85LF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA1312GRTE85LF2SA1312GRTE85LF |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 其它名称 | 2SA1312GRTE85LFCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236 MOD |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 700 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 120 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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