Datasheet下载- 型号： FZT849TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT849TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT849TA价格参考。Diodes Inc.FZT849TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FZT849TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FZT849TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT849TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号广泛应用于各种电子电路中，其主要应用场景包括但不限于以下几种： 1. 开关电路： FZT849TA 可用作开关元件，在数字电路中实现信号的通断控制。例如在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制中，它能够高效地将输入信号转换为输出动作。 2. 信号放大： 作为一款 NPN 型晶体管，FZT849TA 能够用于音频信号或其他低频信号的放大。它适用于前置放大器、耳机放大器以及简单的模拟信号处理电路。 3. 电源管理： 在一些低压电源管理系统中，FZT849TA 可以用作电流调节器或电压调节器的一部分，帮助稳定输出电压或限制电流。 4. 脉宽调制 (PWM) 控制： 在需要 PWM 控制的应用中，例如直流电机速度控制或 LED 亮度调节，FZT849TA 能够根据 PWM 信号快速切换状态，从而实现精确的功率控制。 5. 保护电路： 该晶体管可以用于设计过流保护或短路保护电路。通过检测负载电流的变化，FZT849TA 能够及时切断异常电流路径，保护整个系统。 6. 射频和高频应用： 尽管 FZT849TA 主要针对低频应用，但其较高的频率特性使其也可以用于某些射频前端电路中的小信号放大或混频操作。 7. 传感器接口： 在传感器信号调理电路中，FZT849TA 可以用来增强微弱信号的强度，以便后续处理或传输。 总之，FZT849TA 凭借其可靠的性能和广泛的适用性，成为许多基础电子设计中的关键组件，尤其是在需要高效开关或信号放大的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 30V 7000MA SOT-223两极晶体管 - BJT NPN High Ct Low Sat |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT849TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FZT849TA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 350mV @ 300mA，6.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1A，1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FZT849DKR |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 7 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 7A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 100 at 7 A at 1 V, 30 at 20 A at 2 V |
| 系列 | FZT849 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极连续电流 | 7 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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