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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1184TLQ由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1184TLQ价格参考。ROHM Semiconductor2SB1184TLQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1184TLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1184TLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的晶体管型号2SB1184TLQ是一款PNP型双极结型晶体管(BJT),常用于需要低饱和电压和高可靠性的场合。该晶体管主要应用于以下场景: 1. 电源管理电路:适用于开关稳压器、DC-DC转换器等,作为开关元件使用,因其低饱和电压有助于提高效率。 2. 电机驱动电路:在小型电机或继电器驱动中,该晶体管可作为功率放大元件,控制负载的通断。 3. 汽车电子系统:由于其良好的稳定性和可靠性,适合用于车载设备如车窗控制、灯光控制模块等。 4. 工业自动化控制:可用于PLC、传感器信号放大与切换控制电路中。 5. 消费类电子产品:如音响功放、充电器、LED驱动等中低功率应用中作为开关或放大器件。 总结来说,2SB1184TLQ因其PNP结构、良好封装及电气特性,广泛应用于需要中低功率切换与放大的各类电子设备中,尤其适合对稳定性和效率有一定要求的工业与汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT-428两极晶体管 - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1184TLQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1184TLQ |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 500mA,3V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 其它名称 | 2SB1184TLQDKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 70 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA (ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极连续电流 | - 3 A |
| 频率-跃迁 | 70MHz |