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  • 型号: HUFA76409D3ST
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76409D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76409D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76409D3ST封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUFA76409D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUFA76409D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的HUFA76409D3ST是一款N沟道MOSFET,属于单功率MOSFET器件,常用于中高功率开关应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和优良的热性能,适用于需要高效能和紧凑设计的场景。

典型应用场景包括:

1. 电源管理:广泛应用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电压调节模块(VRM),因其快速开关特性和低损耗,有助于提高电源转换效率。

2. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的驱动模块。

3. 照明系统:用于LED驱动电源,特别是在高亮度LED照明或汽车照明中,提供稳定的电流控制和高效能转换。

4. 消费电子:常见于笔记本电脑、显示器、适配器等设备的电源部分,实现高效的能量管理。

5. 汽车电子:在车载电源系统、车身控制模块(如车窗升降、座椅调节)中作为开关元件使用,具备良好的可靠性和温度适应性。

HUFA76409D3ST采用DPAK(TO-252)封装,便于散热和焊接,适合在中等功率范围内使用的各种工业与消费类应用。其稳健的设计和安森美一贯的高品质保障,使其在要求稳定性和耐用性的场合中表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

HUFA76409D3ST

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

UltraFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

485pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

63 毫欧 @ 18A,10V

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

HUFA76409D3STDKR

功率-最大值

49W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Tc)

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