Datasheet下载- 型号： 2N7002PV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002PV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002PV,115价格参考。NXP Semiconductors2N7002PV,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N7002PV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002PV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 2N7002PV,115 是一款N沟道MOSFET阵列器件，属于小信号MOSFET，常用于低电压、低功率开关应用。该器件采用SOT23封装，具有较小的尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的便携式电子设备。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理开关：在电池供电设备中用于负载开关，控制电源通断，降低待机功耗，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。 2. 逻辑电平转换：在不同电压域的数字电路之间实现信号电平转换，例如将3.3V信号转换为5V或反之，广泛应用于微控制器接口电路。 3. LED驱动与控制：作为LED的开关元件，用于背光控制、状态指示灯等低电流照明应用。 4. 继电器或电机驱动中的驱动级：在小功率继电器或微型电机控制中，作为驱动信号的放大和开关元件。 5. 消费类电子产品：如家用电器、遥控器、充电器等内部电路中的信号开关和电源控制。 2N7002PV,115具备低栅极电荷、快速开关响应和高可靠性，适合高频开关操作。其最大漏源电压为60V，连续漏极电流可达300mA，适合中低电流应用。由于其成本低、性能稳定，被广泛应用于工业控制、通信设备和汽车电子中的辅助电路（非主驱部分）。 总之，该型号适用于需要小型化、高效能开关功能的各类电子系统，是通用型MOSFET阵列中的常用选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 350 mA |
| Id-连续漏极电流 | 350 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002PV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002PV,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.33 W |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| Qg-GateCharge | 0.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.75 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.75 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-5986-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 350mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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