Datasheet下载- 型号： FDMS7606
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS7606由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS7606价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS7606封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMS7606参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS7606 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS7606是安森美（ON Semiconductor）推出的一款集成MOSFET阵列器件，内部包含两个独立的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET®技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优良的热性能。该器件常用于需要高效、紧凑电源管理的场景。 典型应用场景包括： 1. 同步整流DC-DC转换器：在降压（Buck）转换器中，FDMS7606的两个MOSFET可分别作为上管（高边开关）和下管（同步整流器），广泛应用于主板、显卡及嵌入式系统的多相供电设计中，提升转换效率。 2. 笔记本电脑与移动设备电源管理：因其小尺寸（如Power 56封装）和高功率密度，适合空间受限的便携式设备电源模块。 3. 电机驱动电路：可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中的开关元件。 4. 负载开关与电源分配：在热插拔电路或多路电源控制中实现快速开关与低损耗导通。 5. 服务器与通信设备电源系统：用于中间总线转换器或POL（点负载）电源，满足高电流、高效率需求。 FDMS7606凭借其集成化设计，减少了外围元件数量，简化了PCB布局，提高了系统可靠性，特别适用于高频、高效率的开关电源应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V PWR56MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A, 22 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS7606PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS7606 |
| Pd-PowerDissipation | 2.2 W, 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.2 W, 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 16 nC, 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16 nC, 19 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.4 mOhms, 11.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.1 V, 1.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.1 V, 1.9 V |
| 上升时间 | 3 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.4 毫欧 @ 11.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS7606DKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 211 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 53 S, 47 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 11.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A， 12A |
| 系列 | FDMS7606 |
| 配置 | Dual |
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