Datasheet下载- 型号： MW6S004NT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MW6S004NT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MW6S004NT1价格参考。Freescale SemiconductorMW6S004NT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MW6S004NT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MW6S004NT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MW6S004NT1 是一款高性能射频场效应晶体管（RF MOSFET），属于晶体管 - FET，MOSFET - 射频类别。该器件主要用于高频、高功率的射频放大应用，广泛适用于工业、科学和医疗（ISM）频段，以及L波段至S波段的无线通信系统。 典型应用场景包括：陆地移动无线电（如公共安全通信、应急通信系统）、基站功率放大器、雷达系统、航空通信设备以及各类高可靠性无线基础设施。MW6S004NT1具备高增益、高效率和良好的热稳定性，适合在需要连续波（CW）或脉冲射频输出的环境中工作，尤其适用于要求紧凑设计和高效能输出的中等功率射频模块。 此外，该器件常用于替代老式真空管或分立元件，在现代数字预失真（DPD）系统中表现出色，有助于提升信号质量和能效。其采用先进的封装技术，确保良好的散热性能和长期工作可靠性，适用于严苛环境下的持续运行。 总之，MW6S004NT1是一款面向专业射频领域的关键元器件，适用于对稳定性、输出功率和频率性能有较高要求的通信与电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5射频MOSFET晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MW6S004NT1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MW6S004NT1 |
| PCN封装 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15687.htm |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 68 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 68 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 其它名称 | MW6S004NT1DKR |
| 功率-输出 | 4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 280 mg |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18 dB at 1.96 GHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 封装/箱体 | PLD-1.5-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 68 V |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 系列 | MW6S004NT1 |
| 输出功率 | 4 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
| 频率 | 2 GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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