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KSP10TA产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KSP10TA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSP10TA价格参考。Fairchild SemiconductorKSP10TA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3。您可以下载KSP10TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSP10TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSP10TA是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极性射频晶体管(BJT),专为高频和射频应用设计。以下是其主要应用场景: 1. 射频放大器 - KSP10TA适用于低噪声射频放大器的设计,尤其是在VHF(甚高频)和UHF(特高频)频段。 - 它可以用于无线通信设备中的前置放大器,以提高接收机的灵敏度。 2. 无线通信设备 - 在对讲机、无线电收发器和其他无线通信系统中,KSP10TA可用于信号放大和处理。 - 其高频性能使其适合于调制解调器和频率合成器等模块。 3. 电视和广播设备 - 该晶体管可用于电视调谐器、卫星接收器和广播设备中的射频信号处理电路。 - 它能够高效地放大和调节射频信号,确保高质量的信号传输。 4. 雷达和导航系统 - 在小型雷达系统或导航设备中,KSP10TA可以用作射频信号的驱动放大器。 - 其高增益和低噪声特性有助于提升系统的探测精度和距离。 5. 工业和医疗设备 - 在需要射频能量的应用中,如RF加热、等离子体生成或医疗诊断设备(如超声波仪器),KSP10TA可作为功率放大器的一部分。 6. 测试与测量设备 - 该晶体管可用于频谱分析仪、信号发生器等测试设备中,提供稳定的射频信号输出。 总结 KSP10TA凭借其优异的高频性能、低噪声特性和高增益,广泛应用于射频通信、信号处理和测试测量等领域。它特别适合需要高效、稳定射频信号放大的场景,是许多现代电子设备中的关键元件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR RF NPN 25V TO-92两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSP10TA- |
数据手册 | |
产品型号 | KSP10TA |
PCN设计/规格 | |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 4mA,10V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | KSP10TA-ND |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 带盒(TB) |
单位重量 | 240 mg |
发射极-基极电压VEBO | 3 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
增益 | - |
增益带宽产品fT | 650 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 350 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
系列 | KSP10 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
集电极—基极电压VCBO | 30 V |
零件号别名 | KSP10TA_NL |
频率-跃迁 | 650MHz |