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  • 型号: KSP10TA
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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KSP10TA产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供KSP10TA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSP10TA价格参考。Fairchild SemiconductorKSP10TA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3。您可以下载KSP10TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSP10TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

KSP10TA是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极性射频晶体管(BJT),专为高频和射频应用设计。以下是其主要应用场景:

 1. 射频放大器
   - KSP10TA适用于低噪声射频放大器的设计,尤其是在VHF(甚高频)和UHF(特高频)频段。
   - 它可以用于无线通信设备中的前置放大器,以提高接收机的灵敏度。

 2. 无线通信设备
   - 在对讲机、无线电收发器和其他无线通信系统中,KSP10TA可用于信号放大和处理。
   - 其高频性能使其适合于调制解调器和频率合成器等模块。

 3. 电视和广播设备
   - 该晶体管可用于电视调谐器、卫星接收器和广播设备中的射频信号处理电路。
   - 它能够高效地放大和调节射频信号,确保高质量的信号传输。

 4. 雷达和导航系统
   - 在小型雷达系统或导航设备中,KSP10TA可以用作射频信号的驱动放大器。
   - 其高增益和低噪声特性有助于提升系统的探测精度和距离。

 5. 工业和医疗设备
   - 在需要射频能量的应用中,如RF加热、等离子体生成或医疗诊断设备(如超声波仪器),KSP10TA可作为功率放大器的一部分。

 6. 测试与测量设备
   - 该晶体管可用于频谱分析仪、信号发生器等测试设备中,提供稳定的射频信号输出。

 总结
KSP10TA凭借其优异的高频性能、低噪声特性和高增益,广泛应用于射频通信、信号处理和测试测量等领域。它特别适合需要高效、稳定射频信号放大的场景,是许多现代电子设备中的关键元件之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF NPN 25V TO-92两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSP10TA-

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产品型号

KSP10TA

PCN设计/规格

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 4mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

KSP10TA-ND
KSP10TATB

功率-最大值

350mW

包装

带盒(TB)

单位重量

240 mg

发射极-基极电压VEBO

3 V

商标

Fairchild Semiconductor

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

-

增益

-

增益带宽产品fT

650 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Ammo Pack

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3 Kinked Lead

工厂包装数量

2000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

350 mW

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

电压-集射极击穿(最大值)

25V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

系列

KSP10

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

25 V

集电极—基极电压VCBO

30 V

零件号别名

KSP10TA_NL

频率-跃迁

650MHz

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