Datasheet下载- 型号： NE85633-T1B-R24-A
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85633-T1B-R24-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85633-T1B-R24-A价格参考。CELNE85633-T1B-R24-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE85633-T1B-R24-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85633-T1B-R24-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE85633-T1B-R24-A 是由品牌 CEL（California Eastern Laboratories）生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于晶体管 - 双极 (BJT) - 射频类别。该器件专为高频、低噪声放大应用设计，典型工作频率范围覆盖 UHF 至微波频段，适用于对信号灵敏度要求较高的无线通信系统。 其主要应用场景包括：卫星通信接收前端、GPS 导航系统、无线局域网（WLAN）、物联网（IoT）设备、移动通信基站的低噪声放大器（LNA）以及各类射频接收模块。由于其具备低噪声系数和高增益特性，特别适合用于弱信号的放大处理，有助于提升系统接收灵敏度和整体性能。 此外，NE85633-T1B-R24-A 采用表面贴装封装，体积小，便于集成在高密度印刷电路板中，广泛应用于便携式通信设备和紧凑型射频模块。其稳定的工作特性和良好的线性表现也使其适用于需要高可靠性的工业与民用射频电子产品中。 总之，该型号晶体管是一款高性能射频低噪声放大器件，适用于多种现代无线通信和高频接收系统，尤其在追求低功耗、小型化和高灵敏度的应用中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE85633-T1B-R24-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| 增益 | 9dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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