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  • 型号: IRFBC20PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFBC20PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC20PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC20PBF价格参考。VishayIRFBC20PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFBC20PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBC20PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRFBC20PBF是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):该器件适用于开关模式电源中的高频开关应用。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其能够高效地处理电源转换任务。

2. 直流电机控制:可用于驱动小型直流电机,通过PWM(脉宽调制)技术实现速度和方向的精确控制。

3. 电池管理:在电池保护电路中,IRFBC20PBF可以用作充放电控制开关,确保电池的安全运行并防止过流或短路。

4. 负载切换:在需要频繁开启或关闭负载的应用中,如汽车电子设备、家用电器等,这款MOSFET可以提供可靠的负载切换功能。

5. 逆变器:用于小型逆变器的设计,将直流电转换为交流电,适用于便携式电子设备或太阳能系统。

6. LED驱动:在高亮度LED照明应用中,作为电流调节开关使用,保证LED的稳定亮度输出。

7. 通信设备:在基站或其他通信基础设施中,用作信号路径上的开关元件,支持数据传输线路的隔离与切换。

总之,IRFBC20PBF凭借其优良的电气性能和稳定性,广泛应用于消费类电子产品、工业自动化、汽车电子以及通信领域等多种场合。选择具体应用时需考虑工作电压、电流需求及散热条件等因素以确保最佳性能表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.2 A

Id-连续漏极电流

2.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC20PBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91106点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFBC20PBFIRFBC20PBF

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

23 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

350pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.4 欧姆 @ 1.3A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFBC20PBF

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

50W

功率耗散

50 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

4.4 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

2.2 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.2A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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