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IRFBC20PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC20PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC20PBF价格参考。VishayIRFBC20PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFBC20PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBC20PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFBC20PBF是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该器件适用于开关模式电源中的高频开关应用。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其能够高效地处理电源转换任务。 2. 直流电机控制:可用于驱动小型直流电机,通过PWM(脉宽调制)技术实现速度和方向的精确控制。 3. 电池管理:在电池保护电路中,IRFBC20PBF可以用作充放电控制开关,确保电池的安全运行并防止过流或短路。 4. 负载切换:在需要频繁开启或关闭负载的应用中,如汽车电子设备、家用电器等,这款MOSFET可以提供可靠的负载切换功能。 5. 逆变器:用于小型逆变器的设计,将直流电转换为交流电,适用于便携式电子设备或太阳能系统。 6. LED驱动:在高亮度LED照明应用中,作为电流调节开关使用,保证LED的稳定亮度输出。 7. 通信设备:在基站或其他通信基础设施中,用作信号路径上的开关元件,支持数据传输线路的隔离与切换。 总之,IRFBC20PBF凭借其优良的电气性能和稳定性,广泛应用于消费类电子产品、工业自动化、汽车电子以及通信领域等多种场合。选择具体应用时需考虑工作电压、电流需求及散热条件等因素以确保最佳性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC20PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91106点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | IRFBC20PBFIRFBC20PBF |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.4 欧姆 @ 1.3A,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFBC20PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 功率耗散 | 50 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4.4 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 2.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.2A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |