Datasheet下载- 型号： NTD4302T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4302T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4302T4G价格参考。ON SemiconductorNTD4302T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4302T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4302T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4302T4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于功率场效应晶体管（FET）系列。该器件常用于电源管理和开关电路中，具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合高效能、小体积设计。 主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，用于提高转换效率和减小体积。 2. 负载开关：在电源管理系统中作为电子开关控制负载的通断。 3. 电机驱动：用于小型电机或步进电机的控制电路中，实现快速开关。 4. 电池管理系统：如笔记本电脑、电动工具和电动车中的充放电控制。 5. LED照明驱动：在高亮度LED驱动电路中作为调光或开关元件。 6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、电源插座等设备中的功率控制部分。 该MOSFET采用小型封装（如SO-8），适用于表面贴装工艺，适合高密度PCB设计，广泛应用于中低功率开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAKMOSFET 30V 68A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 68 A |
| Id-连续漏极电流 | 68 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4302T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4302T4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 75 W |
| Pd-功率耗散 | 75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns, 13 ns, 25 ns |
| 下降时间 | 55 ns, 40 ns, 58 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD4302T4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns, 55 ns, 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.04W |
| 功率耗散 | 75 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7.8 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 68 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.4A （Ta）， 68A （Tc） |
| 系列 | NTD4302 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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