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Datasheet下载- 型号： PSMN1R2-30YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN1R2-30YLC,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R2-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R2-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R2-30YLC,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN1R2-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R2-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R2-30YLC,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装。其关键参数包括：VDS = 30 V、RDS(on) 极低（典型值仅1.2 mΩ @ VGS = 10 V，2.0 mΩ @ 4.5 V），ID（连续）达120 A（Tc = 25°C），具备优异的导通效率与热性能。 该器件主要面向高效率、高功率密度的中低压开关应用，典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于DC-DC同步整流（如POL模块、VRM）、OR-ing FET及热插拔保护电路，凭借超低导通电阻显著降低传导损耗； ✅ 工业电机驱动：适用于BLDC电机控制器的半桥/全桥下管，支持4.5 V逻辑电平直接驱动，简化栅极驱动设计； ✅ 电池管理系统（BMS）与电动工具：在12–24 V电池供电系统中用作主开关或保护开关，具备强抗雪崩能力（UIS额定）和高可靠性； ✅ LED照明驱动与UPS系统：作为高效PWM调光开关或逆变器输出级开关，提升系统能效与动态响应。 其LFPAK56封装具有低热阻（RthJC ≈ 0.55 K/W）、高功率密度及优秀焊点可靠性，适合自动化贴装与紧凑型PCB布局。综上，该MOSFET专为追求极致效率、紧凑尺寸与稳健性的中大电流、中低压开关场景而优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 30V 1.25mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R2-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R2-30YLC,115 |
| Pd-PowerDissipation | 215 W |
| Pd-功率耗散 | 215 W |
| Qg-GateCharge | 78 nC |
| Qg-栅极电荷 | 78 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.46 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.46 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5093pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.25 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6724-2 |
| 功率-最大值 | 215W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.25 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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