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PSMN1R2-30YLC,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R2-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R2-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R2-30YLC,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 215W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN1R2-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R2-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R2-30YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on) = 1.2 mΩ 典型值),适用于高效能的 DC-DC 转换器和开关电源设计。 - 负载开关:用于控制电路中负载的开启与关闭,适合需要低功耗和快速切换的应用。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:可用于驱动风扇、泵或小型直流电机,提供高效的电流传输和低损耗。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制,支持正反转和速度调节。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:在锂电池或其他可充电电池组中,用作充放电路径的开关,防止过流、短路或过热。 - 均衡电路:用于电池单元间的电压均衡,确保电池组的安全性和寿命。 4. 汽车电子 - 车载应用:适用于汽车中的电子控制单元 (ECU),如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等。 - LED 驱动:为汽车 LED 灯条或大灯提供稳定的电流输出。 5. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器:用于便携式设备的电源适配器中,实现高效的能量转换。 - USB-PD 控制:在 USB-C 和 USB-PD 接口中,用作功率路径管理器件。 6. 工业自动化 - 固态继电器 (SSR):替代传统机械继电器,提供更快的切换速度和更长的使用寿命。 - 传感器接口:用于驱动工业传感器或执行器,提供高可靠性和低功耗性能。 特性优势 - 低导通电阻:减少功率损耗,提高效率。 - 高电流能力:连续漏极电流可达 198 A(@ 25°C),满足大功率需求。 - 紧凑封装:采用 LFPAK88 封装,节省 PCB 空间,适合高密度设计。 - 耐热性能:出色的热阻特性,支持长时间稳定运行。 综上所述,PSMN1R2-30YLC,115 广泛应用于各种需要高效功率转换和低损耗的场景,特别适合对性能和可靠性要求较高的工业、汽车及消费类电子产品领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 30V 1.25mOhms |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R2-30YLC,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN1R2-30YLC,115 |
Pd-PowerDissipation | 215 W |
Pd-功率耗散 | 215 W |
Qg-GateCharge | 78 nC |
Qg-栅极电荷 | 78 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.46 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.46 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5093pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.25 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-6724-2 |
功率-最大值 | 215W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 1.25 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | LFPAK-4 |
工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,500 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 100 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |