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  • 型号: PSMN1R2-30YLC,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN1R2-30YLC,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R2-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R2-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R2-30YLC,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 215W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN1R2-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R2-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN1R2-30YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on) = 1.2 mΩ 典型值),适用于高效能的 DC-DC 转换器和开关电源设计。
   - 负载开关:用于控制电路中负载的开启与关闭,适合需要低功耗和快速切换的应用。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:可用于驱动风扇、泵或小型直流电机,提供高效的电流传输和低损耗。
   - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制,支持正反转和速度调节。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护:在锂电池或其他可充电电池组中,用作充放电路径的开关,防止过流、短路或过热。
   - 均衡电路:用于电池单元间的电压均衡,确保电池组的安全性和寿命。

 4. 汽车电子
   - 车载应用:适用于汽车中的电子控制单元 (ECU),如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等。
   - LED 驱动:为汽车 LED 灯条或大灯提供稳定的电流输出。

 5. 消费类电子产品
   - 笔记本电脑适配器:用于便携式设备的电源适配器中,实现高效的能量转换。
   - USB-PD 控制:在 USB-C 和 USB-PD 接口中,用作功率路径管理器件。

 6. 工业自动化
   - 固态继电器 (SSR):替代传统机械继电器,提供更快的切换速度和更长的使用寿命。
   - 传感器接口:用于驱动工业传感器或执行器,提供高可靠性和低功耗性能。

 特性优势
- 低导通电阻:减少功率损耗,提高效率。
- 高电流能力:连续漏极电流可达 198 A(@ 25°C),满足大功率需求。
- 紧凑封装:采用 LFPAK88 封装,节省 PCB 空间,适合高密度设计。
- 耐热性能:出色的热阻特性,支持长时间稳定运行。

综上所述,PSMN1R2-30YLC,115 广泛应用于各种需要高效功率转换和低损耗的场景,特别适合对性能和可靠性要求较高的工业、汽车及消费类电子产品领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 30V 1.25mOhms

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R2-30YLC,115-

数据手册

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产品型号

PSMN1R2-30YLC,115

Pd-PowerDissipation

215 W

Pd-功率耗散

215 W

Qg-GateCharge

78 nC

Qg-栅极电荷

78 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.46 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.46 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.95V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5093pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

78nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.25 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-6724-2
934065187115
PSMN1R230YLC115

功率-最大值

215W

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.25 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK-4

工具箱

/product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,500

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tmb)

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