ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STD3NK80Z-1
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STD3NK80Z-1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD3NK80Z-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD3NK80Z-1价格参考。STMicroelectronicsSTD3NK80Z-1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 2.5A(Tc) 70W(Tc) I-PAK。您可以下载STD3NK80Z-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD3NK80Z-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD3NK80Z-1 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STD3NK80Z-1 的高电压耐受能力(最大漏源极电压 Vds = 800V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。 - 它可以作为主开关管,在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器或反激式变换器中使用。 2. 电机驱动与控制 - 在电机驱动电路中,该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻(典型值 Rds(on) = 6.5Ω@Vgs=10V)有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,STD3NK80Z-1 可用作高频开关元件,将直流电转换为交流电。 - 其高击穿电压和良好的热性能确保了在恶劣环境下的稳定运行。 4. 电磁阀与继电器驱动 - 该 MOSFET 可以用来驱动电磁阀或继电器等需要大电流切换的负载。 - 高压特性使其能够适应工业级或汽车级应用。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或负载开关电路中,STD3NK80Z-1 的快速开关特性和高可靠性使其成为理想选择。 - 它可以在异常情况下迅速切断电流,保护下游电路。 6. 家电与消费电子 - 在家用电器(如洗衣机、空调、冰箱等)中,该 MOSFET 可用于功率管理模块或压缩机驱动电路。 - 其紧凑的封装形式(TO-220 或 TO-220FP)便于集成到小型化设计中。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,例如电动窗、座椅调节、雨刷控制等,STD3NK80Z-1 可以作为功率开关使用。 - 其高温工作能力(最高结温 Tj = 175°C)满足汽车环境的严苛要求。 总结 STD3NK80Z-1 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热性能,适用于多种高压、高频和大功率场景。无论是工业设备、家用电器还是汽车电子领域,它都能提供可靠且高效的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAKMOSFET N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD3NK80Z-1SuperMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STD3NK80Z-1 |
Pd-PowerDissipation | 70 W |
Pd-功率耗散 | 70 W |
Qg-GateCharge | 19 nC |
Qg-栅极电荷 | 19 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
上升时间 | 27 ns |
下降时间 | 40 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 485pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 欧姆 @ 1.25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | 497-12557-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF223256?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 36 ns |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
正向跨导-最小值 | 2.1 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
系列 | STD3NK80Z |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |