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  • 型号: STD3NK80Z-1
  • 制造商: STMicroelectronics
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STD3NK80Z-1产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD3NK80Z-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD3NK80Z-1价格参考。STMicroelectronicsSTD3NK80Z-1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 2.5A(Tc) 70W(Tc) I-PAK。您可以下载STD3NK80Z-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD3NK80Z-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STD3NK80Z-1 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - STD3NK80Z-1 的高电压耐受能力(最大漏源极电压 Vds = 800V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。
   - 它可以作为主开关管,在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器或反激式变换器中使用。

 2. 电机驱动与控制
   - 在电机驱动电路中,该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 其低导通电阻(典型值 Rds(on) = 6.5Ω@Vgs=10V)有助于减少功率损耗,提高效率。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,STD3NK80Z-1 可用作高频开关元件,将直流电转换为交流电。
   - 其高击穿电压和良好的热性能确保了在恶劣环境下的稳定运行。

 4. 电磁阀与继电器驱动
   - 该 MOSFET 可以用来驱动电磁阀或继电器等需要大电流切换的负载。
   - 高压特性使其能够适应工业级或汽车级应用。

 5. 保护电路
   - 在过流保护、短路保护或负载开关电路中,STD3NK80Z-1 的快速开关特性和高可靠性使其成为理想选择。
   - 它可以在异常情况下迅速切断电流,保护下游电路。

 6. 家电与消费电子
   - 在家用电器(如洗衣机、空调、冰箱等)中,该 MOSFET 可用于功率管理模块或压缩机驱动电路。
   - 其紧凑的封装形式(TO-220 或 TO-220FP)便于集成到小型化设计中。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中,例如电动窗、座椅调节、雨刷控制等,STD3NK80Z-1 可以作为功率开关使用。
   - 其高温工作能力(最高结温 Tj = 175°C)满足汽车环境的严苛要求。

 总结
STD3NK80Z-1 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热性能,适用于多种高压、高频和大功率场景。无论是工业设备、家用电器还是汽车电子领域,它都能提供可靠且高效的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAKMOSFET N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.5 A

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD3NK80Z-1SuperMESH™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STD3NK80Z-1

Pd-PowerDissipation

70 W

Pd-功率耗散

70 W

Qg-GateCharge

19 nC

Qg-栅极电荷

19 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

上升时间

27 ns

下降时间

40 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

485pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

19nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 欧姆 @ 1.25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

497-12557-5
STD3NK80Z-1-ND
STD3NK80Z1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF223256?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

36 ns

功率-最大值

70W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

正向跨导-最小值

2.1 S

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A (Tc)

系列

STD3NK80Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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