数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW7NK90Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW7NK90Z价格参考¥询价-¥询价。STMicroelectronicsSTW7NK90Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW7NK90Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW7NK90Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STW7NK90Z是一款功率MOSFET器件,属于N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力的特点,适用于多种工业和消费类电子设备。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器等,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机或无刷电机控制系统中作为功率开关,用于工业自动化设备或电动工具。 3. 照明系统:用于LED照明驱动电路或高强度放电灯(HID)镇流器中,提供稳定可靠的功率控制。 4. 汽车电子:如车载电源系统、电动门窗控制、车载充电器等,因其具备较高的可靠性和耐环境能力。 5. 家用电器:用于变频空调、洗衣机、电磁炉等家电中的功率控制模块,提升能效和系统稳定性。 总之,STW7NK90Z适用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的功率电子系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247MOSFET N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.8 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW7NK90ZSuperMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STW7NK90Z |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Qg-GateCharge | 46.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
上升时间 | 45 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 2.9A,10V |
产品种类 | Power MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | 497-7624-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF69066?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 140W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A (Tc) |
系列 | STW7NK90Z |
配置 | Single |