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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R3-30BL,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R3-30BL,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R3-30BL,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN4R3-30BL,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R3-30BL,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN4R3-30BL,118 是一款功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型器件,常用于高效能电源管理与功率转换应用。 该器件的主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等消费类电子设备的AC/DC电源适配器和快速充电器中,作为开关元件以提高转换效率。 2. DC/DC 转换器:广泛应用于服务器、通信设备及工业控制系统的电源模块中,用于电压调节和能量传输。 3. 负载开关与电源管理:在电池供电设备中作为负载开关使用,实现对不同电路模块的电源控制,延长电池寿命。 4. 电机驱动与逆变器系统:可用于小型电机控制、电动车或不间断电源(UPS)中的逆变电路,提供高效的功率切换能力。 5. 同步整流:在高效率电源设计中替代传统二极管进行同步整流,降低导通损耗,提升整体效率。 PSMN4R3-30BL,118 具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(30V)和良好热性能,适合高频开关应用,且符合行业标准封装,便于PCB布局与自动化生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R3-30BL,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R3-30BL,118 |
| Pd-PowerDissipation | 103 W |
| Pd-功率耗散 | 103 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.1 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9486-1 |
| 功率-最大值 | 103W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.1 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 80 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 配置 | Single |