Datasheet下载- 型号： PSMN4R3-30BL,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R3-30BL,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R3-30BL,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R3-30BL,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN4R3-30BL,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R3-30BL,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN4R3-30BL,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（Rds(on)典型值仅4.3 mΩ @ Vgs=10V，6.0 mΩ @ Vgs=4.5V）、30V耐压及高电流能力（ID可达100A脉冲），适用于高效率、高功率密度的电源管理场景。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：如服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）电源，利用其低Rds(on)和快速开关特性提升转换效率与热性能； ✅ 电机驱动：用于无人机电调（ESC）、小型BLDC电机控制中的上/下桥臂开关，支持高频PWM驱动与高效散热； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电保护回路中的主控开关或负载开关，满足低导通损耗与可靠过流保护需求； ✅ LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电路中作PWM调光开关，响应快、温升低； ✅ 热插拔与电子保险丝：凭借低阈值电压（Vgs(th) 1.0–2.1V）和强雪崩耐受能力，适用于板级电源热插拔保护与智能限流设计。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU直接控制），集成优化的体二极管，具备良好反向恢复特性，适合高频、紧凑型设计。广泛应用于工业自动化、网络设备、消费电子及汽车信息娱乐系统（符合AEC-Q101非车规但常用于车载非安全域）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R3-30BL,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R3-30BL,118 |
| Pd-PowerDissipation | 103 W |
| Pd-功率耗散 | 103 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9486-1 |
| 功率-最大值 | 103W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.1 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 80 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 配置 | Single |
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