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PBSS4330PA,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4330PA,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4330PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4330PA,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 30V 3A 210MHz 2.1W 表面贴装 3-HUSON(2x2)。您可以下载PBSS4330PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4330PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBSS4330PA,115 的晶体管属于双极型晶体管(BJT)中的单个晶体管类别,其应用场景主要集中在低功率、小信号放大和开关功能上。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 信号放大 - PBSS4330PA,115 可用于音频设备中的小信号放大,例如麦克风前置放大器或耳机放大器。由于其出色的增益性能和低噪声特性,能够有效地放大弱电信号而不失真。 2. 开关电路 - 在数字电路中,该晶体管可用作开关元件。例如,在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等场景中,它能快速切换通断状态,确保高效稳定的运行。 - 其高频率响应能力使其适合高频开关应用,如 PWM 控制电路。 3. 电源管理 - 在一些简单的电源管理模块中,PBSS4330PA,115 可用于电流限制或过载保护电路。例如,通过检测负载电流并触发保护机制来避免损坏其他组件。 4. 消费电子 - 该晶体管广泛应用于各种消费电子产品中,如遥控器、玩具、智能家居设备等。在这些设备中,它通常用作信号传输或控制单元的一部分。 - 在无线通信模块中,它可以作为射频信号处理中的缓冲放大器或混频器的一部分。 5. 传感器接口 - 在传感器系统中,PBSS4330PA,115 能够将来自传感器的微弱信号进行初步放大,以便后续处理。例如,在温度传感器、光敏电阻或其他模拟传感器的应用中起到重要作用。 6. 工业自动化 - 在工业领域,该晶体管可用于简单的过程控制电路,例如监控生产线上的某些参数(如温度、压力等),并通过逻辑判断实现自动化的开/关操作。 总结 PBSS4330PA,115 晶体管凭借其高性能和可靠性,适用于多种低功耗、小信号处理和开关控制场合。无论是消费类电子产品还是工业设备,它都能提供稳定且高效的解决方案。具体应用时需根据实际需求选择合适的偏置条件和外围电路设计,以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061两极晶体管 - BJT 30V 3A NPN LO VCEsat TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4330PA,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4330PA,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 300mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 270 @ 1A,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-HUSON |
| 其它名称 | 568-6409-6 |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 210 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
| 封装/箱体 | SOT-1061 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 700 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 210MHz |