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  • 型号: PBSS4330PA,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS4330PA,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4330PA,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4330PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4330PA,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 30V 3A 210MHz 2.1W 表面贴装 3-HUSON(2x2)。您可以下载PBSS4330PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4330PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBSS4330PA,115 的晶体管属于双极型晶体管(BJT)中的单个晶体管类别,其应用场景主要集中在低功率、小信号放大和开关功能上。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 信号放大
   - PBSS4330PA,115 可用于音频设备中的小信号放大,例如麦克风前置放大器或耳机放大器。由于其出色的增益性能和低噪声特性,能够有效地放大弱电信号而不失真。

 2. 开关电路
   - 在数字电路中,该晶体管可用作开关元件。例如,在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等场景中,它能快速切换通断状态,确保高效稳定的运行。
   - 其高频率响应能力使其适合高频开关应用,如 PWM 控制电路。

 3. 电源管理
   - 在一些简单的电源管理模块中,PBSS4330PA,115 可用于电流限制或过载保护电路。例如,通过检测负载电流并触发保护机制来避免损坏其他组件。

 4. 消费电子
   - 该晶体管广泛应用于各种消费电子产品中,如遥控器、玩具、智能家居设备等。在这些设备中,它通常用作信号传输或控制单元的一部分。
   - 在无线通信模块中,它可以作为射频信号处理中的缓冲放大器或混频器的一部分。

 5. 传感器接口
   - 在传感器系统中,PBSS4330PA,115 能够将来自传感器的微弱信号进行初步放大,以便后续处理。例如,在温度传感器、光敏电阻或其他模拟传感器的应用中起到重要作用。

 6. 工业自动化
   - 在工业领域,该晶体管可用于简单的过程控制电路,例如监控生产线上的某些参数(如温度、压力等),并通过逻辑判断实现自动化的开/关操作。

 总结
PBSS4330PA,115 晶体管凭借其高性能和可靠性,适用于多种低功耗、小信号处理和开关控制场合。无论是消费类电子产品还是工业设备,它都能提供稳定且高效的解决方案。具体应用时需根据实际需求选择合适的偏置条件和外围电路设计,以充分发挥其性能优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061两极晶体管 - BJT 30V 3A NPN LO VCEsat TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4330PA,115-

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产品型号

PBSS4330PA,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 300mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

270 @ 1A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

3-HUSON

其它名称

568-6409-6

功率-最大值

2.1W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

210 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-PowerUDFN

封装/箱体

SOT-1061

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

2.1 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

700

直流集电极/BaseGainhfeMin

180

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极连续电流

3 A

频率-跃迁

210MHz

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