Datasheet下载- 型号： NSS40601CF8T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS40601CF8T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS40601CF8T1G价格参考。ON SemiconductorNSS40601CF8T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSS40601CF8T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS40601CF8T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSS40601CF8T1G的晶体管属于安森美半导体（ON Semiconductor）生产的双极型晶体管（BJT），采用8引脚封装。该器件主要用于需要高效能和高可靠性的应用场合。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、负载开关及稳压电路，用于控制电流流动或作为功率开关使用。 2. 电机驱动与继电器控制：在工业自动化设备中，常用于驱动小型电机、继电器线圈或其他感性负载。 3. 信号放大：可用于低频信号放大电路中，如音频前置放大器或传感器信号调理电路。 4. 汽车电子系统：由于其具备较高的可靠性和稳定性，适合用于车载充电系统、车身控制模块等对安全性要求高的汽车应用。 5. 消费类电子产品：例如智能家电、LED照明调光系统中的开关控制部分。 该晶体管具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适合在中等功率应用中作为开关或放大元件使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 40V 8A 1206A CHIPFET两极晶体管 - BJT HEX UNBUFFED INVERTR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS40601CF8T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS40601CF8T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 135mV @ 400mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1A，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NSS40601CF8T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | Chip FET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1400 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | NSS40601CF8 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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