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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4614T-AN由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4614T-AN价格参考。ON Semiconductor2SC4614T-AN封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC4614T-AN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC4614T-AN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的2SC4614T-AN是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于中功率放大和高速开关应用。该器件采用紧凑的表面贴装封装(如SOT-23或类似小型封装),适合空间受限的高密度电路设计。 其典型应用场景包括:便携式消费类电子产品中的信号放大与开关控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的音频前置放大电路或LED驱动电路;在电源管理模块中用于DC-DC转换器的驱动级或负载开关;也可用于小型电机控制、继电器驱动及各类低电压、低功耗的工业控制电路。 2SC4614T-AN具有较高的直流电流增益(hFE)和良好的频率响应特性,适用于高频开关和小信号处理场合。同时,其较低的饱和压降有助于提高能效,减少发热,提升系统整体可靠性。此外,该器件符合RoHS环保要求,适用于追求绿色节能的现代电子设备。 综上所述,2SC4614T-AN广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制及便携式电源管理等领域,特别适合需要高效、稳定、小型化晶体管解决方案的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN BIPO 1.5A 160V NMP两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC4614T-AN- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SC4614T-AN |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 450mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 3-NMP |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 120 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-71 |
封装/箱体 | NMP-3 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | - 1.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1.5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 400 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | 2SC4614 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 160 V |
集电极—基极电压VCBO | - 180 V |
集电极—射极饱和电压 | - 200 mV |
集电极连续电流 | - 1.5 A |
频率-跃迁 | 120MHz |