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Datasheet下载- 型号： MJD31C1G
- 制造商： ON Semiconductor
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MJD31C1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD31C1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD31C1G价格参考。ON SemiconductorMJD31C1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 3A 3MHz 1.56W 通孔 I-PAK。您可以下载MJD31C1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD31C1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD31C1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型。其主要应用场景包括： 1. 开关应用：MJD31C1G 常用于各种电子设备中的开关电路，例如继电器驱动、LED 驱动和电机控制等。它能够快速切换状态，提供稳定的开关性能。 2. 音频放大器：该晶体管适用于低至中功率的音频放大器设计，能够处理一定范围内的音频信号，为扬声器提供足够的驱动能力。 3. 电源管理：在一些简单的电源管理电路中，如直流-直流转换器或稳压电路，MJD31C1G 可以用作电流调节元件，帮助维持输出电压的稳定性。 4. 信号放大：由于其良好的增益特性，MJD31C1G 可用于信号放大的场合，比如传感器信号放大或射频前端的小信号放大。 5. 保护电路：在过流保护或短路保护电路中，MJD31C1G 能够作为关键组件，通过检测异常电流并切断电路来保护系统。 这款晶体管的最大集电极电流为 8A，最大集电极-发射极电压为 80V，适合需要较高电流承载能力和适中电压耐受的应用环境。此外，它的封装形式通常为 TO-220，这种封装具有较好的散热性能，适合功率稍高的应用场景。 需要注意的是，在具体应用时应根据实际需求选择合适的偏置电阻和其他外围元件，确保晶体管工作在其安全操作区域内，避免因过热或过载而导致损坏。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS POWER NPN 3A 100V IPAK两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD31C1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD31C1G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.2V @ 375mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10 @ 3A，4V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | MJD31C1G-ND |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.56 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | MJD31C |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
