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  • 型号: BC857T,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC857T,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC857T,115价格参考。NXP SemiconductorsBC857T,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC857T,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC857T,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 45V 100MA SC-75两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC857T,115-

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产品型号

BC857T,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

125 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-75

其它名称

934054820115
BC857T T/R
BC857T T/R-ND

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz (Min)

安装类型

表面贴装

封装

Reel

封装/外壳

SC-75,SOT-416

封装/箱体

TO-236AB

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

250 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

125 at 2 mA at 5 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

零件号别名

BC857T T/R

频率-跃迁

100MHz

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