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  • 型号: PMSS3906,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMSS3906,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMSS3906,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMSS3906,115价格参考。NXP SemiconductorsPMSS3906,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 100mA 150MHz 200mW 表面贴装 SC-70。您可以下载PMSS3906,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMSS3906,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMSS3906,115 是 NXP USA Inc. 推出的 PNP 型通用双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装,具有低功耗、高增益(hFE 典型值 300@10mA)、快速开关特性及良好热稳定性。其典型应用场景包括:

• 小信号放大:用于便携式音频设备(如耳机放大器前置级)、传感器信号调理电路中的微弱模拟信号放大;  
• 开关控制:在低功耗嵌入式系统中驱动LED、蜂鸣器、继电器线圈或逻辑电平转换(如MCU GPIO 控制外部负载);  
• 电源管理:作为负载开关或反向电流阻断器件,用于电池供电设备(如可穿戴设备、IoT终端)的电源通断控制;  
• 接口与电平移位:配合NPN器件构成互补推挽结构,或用于I²C/SPI等总线的上拉/电平适配;  
• 消费电子与工业控制:广泛应用于智能手机周边电路、智能电表、家电控制板等对尺寸和功耗敏感的场景。

该器件额定集电极电流 IC = –200 mA,VCEO = –40 V,适合中低电压(≤12 V)、中低频(fT ≈ 250 MHz)应用,不适用于大功率或高频射频场景。其SOT-323封装便于高密度PCB布局,符合RoHS标准,支持自动贴片生产。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 40V 100MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMSS3906,115-

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产品型号

PMSS3906,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 10mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-8108-6

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

150 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

60 at 0.1 mA at 1 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

60 at 0.1 mA at 1 V, 80 at 1 mA at 1 V, 100 at 10 mA at 1 V, 60 at 50 mA at 1 V, 30 at 100 mA at 1 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

40 V

零件号别名

PMSS3906 T/R

频率-跃迁

150MHz

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