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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NJW44H11G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJW44H11G价格参考。ON SemiconductorNJW44H11G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJW44H11G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJW44H11G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NJW44H11G的晶体管由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,属于双极型晶体管(BJT)中的一种高功率达林顿晶体管。该器件常用于需要高电流增益和大电流承载能力的应用场合。 NJW44H11G的主要应用场景包括: 1. 电源开关电路:由于其高电流放大倍数和较强的负载驱动能力,适用于开关稳压电源、DC-DC转换器等电源管理电路中作为功率开关元件。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机的控制电路中,用作高电流开关,能够有效驱动较大功率的电机设备。 3. 继电器与电磁阀驱动:在工业自动化控制系统中,用于驱动继电器线圈、电磁阀等感性负载。 4. 音频功率放大器:可应用于低频音频功率放大电路中,特别是在要求较高输出功率的音响系统中。 5. 汽车电子系统:如车灯控制模块、电动窗、座椅调节装置等车载电器的驱动部分。 该晶体管采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适合高功率应用。使用时需注意其最大工作电压和电流限制,并配合适当的散热片以确保稳定性和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPOLAR 10A 80V TO-3P |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NJW44H11G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 4A, 2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 120W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
| 频率-跃迁 | 85MHz |