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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD44H11TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD44H11TM价格参考。Fairchild SemiconductorMJD44H11TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD44H11TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD44H11TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD44H11TM是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型功率晶体管。该器件常用于需要高电流和较高电压处理能力的开关和放大电路中。 主要应用场景包括: 1. 电源开关与控制电路:由于其具备较高的集电极电流(可达6A)和耐压能力(VCEO=100V),适用于DC-DC转换器、电机驱动及继电器控制等开关应用。 2. 工业自动化设备:在PLC(可编程逻辑控制器)、工业执行器和传感器驱动电路中,作为功率开关使用,实现对负载的高效控制。 3. 汽车电子系统:可用于车载充电系统、灯控模块或电动机控制电路中,满足汽车环境下的可靠性和耐用性要求。 4. 消费类电子产品:如大功率LED驱动、家用电器中的马达控制等场景,提供稳定可靠的电流放大与开关功能。 5. 音频放大器:在低频功率放大电路中,作为输出级使用,推动扬声器或其他大功率负载。 总之,MJD44H11TM因其良好的电气性能与稳定性,广泛应用于工业、汽车及消费类领域中需要中高功率开关与放大的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MJD44H11TM- |
数据手册 | |
产品型号 | MJD44H11TM |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | MJD44H11TMDKR |
功率-最大值 | 1.75W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 260.370 mg |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 50 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 20 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 8 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
系列 | MJD44H11 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 5 V |
集电极—射极饱和电压 | 1 V |
集电极连续电流 | 8 A |
零件号别名 | MJD44H11TM_NL |
频率-跃迁 | 50MHz |