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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX689B由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX689B价格参考。Diodes Inc.ZTX689B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZTX689B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZTX689B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZTX689B 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型。该型号的晶体管广泛应用于各种电子电路中,主要用作开关或放大元件。以下是 ZTX689B 的一些典型应用场景: 1. 开关应用: ZTX689B 常用于数字电路中的开关功能。例如,在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等场景中,可以利用其低导通电压和快速开关特性实现高效的开关操作。 2. 信号放大: 作为一款 BJT,ZTX689B 可用于音频信号放大器的设计中。它能够将微弱的输入信号放大到更高的电平,适用于便携式音频设备、麦克风前置放大器等。 3. 电源管理: 在简单的稳压电路或电流限制电路中,ZTX689B 可以与其他元件(如电阻和二极管)配合使用,以实现基本的电源管理功能。 4. 传感器接口: 在工业自动化或物联网设备中,ZTX689B 可用于放大传感器输出的微小信号,从而提高检测精度。例如,温度传感器、压力传感器等的信号调理电路。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制: 在需要 PWM 调节的应用中,如 LED 调光或直流电机速度控制,ZTX689B 可以用作功率级驱动器,接收 PWM 信号并控制负载电流。 6. 射频 (RF) 和高频应用: 尽管 ZTX689B 主要设计为通用晶体管,但在某些低功率射频电路中,也可以用作小信号放大器或混频器。 7. 过流保护: 利用 ZTX689B 的电流增益特性,可以设计过流保护电路。当负载电流超过设定值时,晶体管会触发保护机制,切断电流路径。 总结来说,ZTX689B 因其高增益、宽工作电压范围和良好的热稳定性,适合多种低功耗和中等功率的电子应用。在选择具体应用场景时,需根据实际需求考虑其最大集电极电流(Ic)、最大集电极-发射极电压(Vce)以及频率响应等参数。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 20V 3A E-LINE两极晶体管 - BJT NPN Super E-Line |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZTX689B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZTX689B |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 10mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 400 @ 2A,2V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 500 at 100 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 500 at 100 mA at 2 V, 400 at 2 A at 2 V, 150 at 6 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |