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Datasheet下载- 型号： ALD110802SCL
- 制造商： Advanced Linear Devices
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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ALD110802SCL产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD110802SCL由Advanced Linear Devices设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD110802SCL价格参考。Advanced Linear DevicesALD110802SCL封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 4 N 沟道，配对 Mosfet 阵列 10.6V 500mW 表面贴装 16-SOIC。您可以下载ALD110802SCL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ALD110802SCL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ALD110802SCL 是由 Advanced Linear Devices Inc. 生产的一款 MOSFET 阵列器件，常用于需要低功耗、高精度模拟信号处理的应用场景。该器件内部集成了多个匹配良好的 MOSFET 晶体管，适合用于构建高精度的模拟电路，如运算放大器、比较器、电流镜、有源负载等。 典型应用场景包括： 1. 高精度模拟电路设计：由于其MOSFET具有良好的匹配性和低失调特性，适用于高精度放大器和传感器接口电路。 2. 低功耗便携设备：如电池供电仪器、手持测试设备等，因其低功耗特性，有助于延长设备续航。 3. 工业控制与测量系统：用于工业自动化系统中的信号调理、电流检测和控制电路。 4. 电源管理电路：如DC-DC转换器、LDO稳压器中的开关元件或辅助控制电路。 5. 科研与实验教学平台：作为教学实验和科研项目中模拟集成电路设计的基础元件。 封装形式为SOP（小型封装），便于在PCB上布局和集成。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Depletion |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOICMOSFET Quad EPAD(R) N-Ch |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 4 N 沟道，配对 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 mA |
| Id-连续漏极电流 | 12 mA |
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD110802SCLEPAD® |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD110802SCL |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10.6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10.6 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 220mV @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.5pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 欧姆 @ 4.2V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 其它名称 | 1014-1021 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Advanced Linear Devices |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-16 |
| 工厂包装数量 | 48 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 48 |
| 正向跨导-最小值 | 0.0014 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | ALD110802S |
| 通道模式 | Depletion |
| 配置 | Quad |
