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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PHN210,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHN210,118价格参考。NXP SemiconductorsPHN210,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHN210,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHN210,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为PHN210,118的晶体管属于NXP USA Inc.品牌,分类为MOSFET阵列器件。该器件集成了多个MOSFET晶体管在一个封装中,适用于需要高效、紧凑设计的电路应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器等电源模块中,实现高效的能量转换和分配,适合便携式设备和嵌入式系统。 2. 电机驱动:在小型电机控制电路中作为开关元件,广泛应用于家电、工业自动化及机器人控制系统中。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED照明、加热元件等,具有响应快、损耗低的优点。 4. 逻辑控制电路:由于集成度高,也适用于数字逻辑控制或接口电路中的信号切换。 5. 汽车电子:因NXP产品多具备较高可靠性,PHN210,118也可用于车载系统如车身控制模块、传感器驱动等场景。 该器件采用小外形封装(如TSOP),适合高密度PCB布局,且功耗较低,适用于对空间与效率有要求的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET NCH DL TRENCH 8SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PHN210,118 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 2.2A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 934033430118 |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 10,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.4A |