Datasheet下载- 型号： FDMD82100
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMD82100由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMD82100价格参考。Fairchild SemiconductorFDMD82100封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMD82100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMD82100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMD82100是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：FDMD82100适用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关和电源排序。其高效的开关特性和低导通电阻有助于减少功耗并提高系统的整体效率。 2. 电机控制：在小型电机驱动和控制电路中，该器件可以用于实现精确的电流控制和快速响应。它适合应用于消费电子设备中的风扇、泵和其他小型电机。 3. 信号切换：由于其低电容和快速开关速度，FDMD82100非常适合用作信号切换元件，特别是在需要处理高频信号的场合，如数据通信接口或音频信号路径。 4. 电池保护与管理：该MOSFET阵列可用于电池保护电路中，以防止过充、过放或短路等情况的发生。同时，它也可用于多节电池组的均衡管理。 5. 便携式设备：在智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品中，FDMD82100能够提供紧凑且高效的解决方案，支持设备的小型化设计需求。 6. 工业自动化：在工业控制领域，这款MOSFET阵列可用于构建可编程逻辑控制器(PLC)的输入/输出模块，以及传感器接口等。 7. 汽车电子：尽管具体车规级认证信息需查阅详细规格书，但类似器件常用于车载信息娱乐系统、车身控制模块及照明控制等领域。 总之，FDMD82100凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、通信、工业以及汽车等多个行业中的多种场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWERMOSFET PT5 100/20V Dual Nch Power Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMD82100PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMD82100 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 1 W, 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W, 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 上升时间 | 3.2 ns |
| 下降时间 | 3.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1070pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19毫欧 @ 7A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 12-PQFN （3x3） |
| 其它名称 | FDMD82100DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 82.319 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 12-PowerWDFN |
| 封装/箱体 | Power-12 3.3x5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A |
| 系列 | FDMD82100 |
| 配置 | Dual |
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