Datasheet下载- 型号： SP8J2TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SP8J2TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SP8J2TB价格参考。ROHM SemiconductorSP8J2TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SP8J2TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SP8J2TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ROHM半导体的SP8J2TB是一款P沟道MOSFET阵列，内含两个独立的P沟道MOSFET器件，采用小型化封装（如SOP-J8），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要用于低电压、低功耗的开关和信号控制场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中对不同模块的供电管理。 2. 电平转换电路：在数字系统中实现不同电压域之间的信号电平转换，适用于I²C、GPIO等通信接口的电平匹配。 3. LED驱动与控制：作为小电流LED的开关元件，用于背光控制或状态指示灯驱动。 4. 电机驱动与继电器驱动电路：在低功率电机或电磁继电器的驱动电路中作为控制开关，实现信号隔离与功率切换。 5. 便携式医疗设备与消费类电子产品：因其低导通电阻和低静态电流特性，适合对能效和尺寸要求较高的应用。 SP8J2TB具有良好的热稳定性和可靠性，支持表面贴装工艺，便于自动化生产。其P沟道特性使其在高边开关应用中无需额外的驱动电路，简化设计。总体而言，该器件适用于需要小型化、低功耗和高集成度的中低端功率控制场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SP8J2TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 56 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | SP8J2TBDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
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