Datasheet下载- 型号： SSM6N55NU,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6N55NU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6N55NU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6N55NU,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6N55NU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6N55NU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM6N55NU,LF 是东芝半导体（Toshiba Semiconductor and Storage）推出的一款MOSFET阵列产品，属于N沟道增强型场效应晶体管，采用小型化封装（如US6），适用于空间受限的便携式电子设备。 该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。典型应用包括移动设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关、电池电源切换和DC-DC转换电路。其低阈值电压和快速响应特性使其适合用于逻辑信号控制和电平转换电路，提升系统能效。 此外，SSM6N55NU,LF 也广泛用于各类消费类电子产品中的电机驱动、LED驱动及小型继电器控制等场景。由于其集成双MOSFET结构，可在有限空间内实现多个开关功能，减少外围元件数量，简化电路设计。 在工业控制和通信设备中，该型号可用于信号路由和电源多路复用，提供稳定可靠的开关性能。其高可靠性与良好的热稳定性，确保在较宽温度范围内稳定运行，适用于对长期稳定性要求较高的嵌入式系统。 综上，SSM6N55NU,LF 凭借其小尺寸、低功耗和高效率，成为便携式电子设备和高密度电路设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 4A UDFN6MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N55NU |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6N55NU,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N55NU |
| 产品型号 | SSM6N55NU,LFSSM6N55NU,LF |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 2.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 64 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.3 V to 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V to 2.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 4A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-µDFN（2x2） |
| 其它名称 | SSM6N55NULFCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | UDFN-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/ssm6n55nussm6n57nu-mosfets/50273 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A |
| 配置 | Single |
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