Datasheet下载- 型号： SMUN2113T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN2113T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN2113T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN2113T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN2113T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN2113T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的SMUN2113T1G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），属于单NPN型结构，内置基极-发射极电阻，简化了电路设计。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性和低成本驱动方案的场景。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑中的LED背光驱动、电源开关控制等，得益于其小封装（SOT-563）和低功耗特性。 2. 消费类电子产品：用于LCD显示器、遥控器、玩具、家用电器中的信号切换与逻辑控制。 3. 工业控制与传感器驱动：作为接口电路驱动继电器、蜂鸣器或传感器模块，实现微控制器与负载之间的电平转换与隔离。 4. 电源管理电路：在DC-DC转换器、LDO使能控制中用作开关元件，提升系统效率。 5. 通信设备：适用于IoT模块、无线收发器中的信号放大与开关功能。 SMUN2113T1G集成内部偏置电阻，减少了外围元件数量，提高了PCB布局密度与系统可靠性，特别适合空间受限和自动化生产的应用。其工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适应严苛环境，是替代传统分立晶体管+电阻组合的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN2113T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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