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PDTA114TT,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114TT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114TT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114TT,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTA114TT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA114TT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA114TT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(Digital Transistor, DTR),内部集成一个PNP型双极结型晶体管(BJT)和两个片上电阻(R1=10kΩ 基极上拉电阻,R2=10kΩ 基极-发射极下拉电阻),采用SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装。 其典型应用场景包括: ✅ 逻辑电平接口与信号转换:用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32等)IO口驱动低功耗负载,将3.3V/5V TTL/CMOS逻辑电平转换为足够驱动能力的开关信号; ✅ LED驱动:常用于指示灯、背光控制等中小电流(≤100mA)LED开关控制,内置电阻简化外围设计,提升PCB空间利用率; ✅ 继电器/小功率负载驱动:驱动小型电磁继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极预驱,实现电平隔离与电流放大; ✅ 电池供电设备:得益于低待机电流(因R2确保关断可靠性)及小尺寸封装,广泛应用于便携式设备、IoT传感器节点、可穿戴设备等对尺寸和功耗敏感的场景; ✅ 替代传统“三极管+两个分立电阻”方案:显著减少BOM数量、贴片工位和PCB面积,提高生产良率与设计一致性。 注意:该器件为PNP型数字晶体管,适用于低侧开关(负载接VCC,晶体管控制接地通路)或高侧开关配置(需注意驱动逻辑),实际应用中需校验输入电压兼容性、负载电流(IC max = 100mA)及功耗(Ptot = 250mW)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA114TT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA114TT,215 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-11227-1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTA114TT T/R |
| 频率-跃迁 | - |