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DDTA114TCA-7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTA114TCA-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTA114TCA-7价格参考。Diodes Inc.DDTA114TCA-7封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载DDTA114TCA-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTA114TCA-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDTA114TCA-7是一款预偏置型双极性晶体管(BJT),常用于需要简化电路设计、提高稳定性的场景。该器件集成了基极偏置电阻,可降低外部元件需求,提升电路可靠性,适用于中低功率的开关和放大电路。 其典型应用场景包括: 1. 逻辑电路与接口电路:用于数字电路中电平转换、信号缓冲,连接不同电压域的元件。 2. 电源管理电路:如DC-DC转换器、负载开关、电源控制器中的驱动级。 3. 电机驱动与继电器控制:作为开关元件控制小功率电机或继电器线圈。 4. 传感器信号调理:在传感器电路中用于信号放大或开关控制。 5. 消费类电子产品:如手机、平板、智能家电中的电源控制与信号处理部分。 该晶体管封装小巧,适合高密度PCB布局,适用于自动化生产,广泛应用于工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DDTA114TCA-7 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 100µA, 1mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | DDTA114TCA7 |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | 250MHz |