Datasheet下载- 型号： DDTD122LC-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTD122LC-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTD122LC-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTD122LC-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DDTD122LC-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDTD122LC-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDTD122LC-7-F是一款预偏置的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号在电路设计中主要用于信号放大、开关控制以及电流调节等应用场景。以下是其主要的应用领域和场景： 1. 音频信号放大 - DDTD122LC-7-F可以用于低功率音频放大器中，对输入的音频信号进行放大处理，适用于便携式音响设备、耳机放大器或其他小型音频系统。 2. 开关电路 - 在需要高可靠性和稳定性的开关应用中，该晶体管可作为电子开关使用。例如，在继电器驱动、LED驱动或小型电机控制电路中，能够实现快速、高效的开关功能。 3. 电源管理 - 该型号可用于简单的电源管理电路中，例如电压调节器中的负载调整或电流限制功能，确保下游电路的安全运行。 4. 传感器信号调理 - 在工业自动化或消费电子领域，DDTD122LC-7-F可以用来放大传感器输出的微弱信号，如温度传感器、压力传感器或光敏元件的信号调理电路。 5. 通信设备 - 在低频通信设备中，该晶体管可用作信号调制与解调的核心元件，支持稳定的信号传输和接收。 6. 家用电器控制 - 在家用电器中，如风扇速度控制、冰箱压缩机启动电路或洗衣机的水流控制，该晶体管能够提供可靠的性能支持。 特点总结： - 预偏置设计：简化了外部偏置电路的设计，提高了系统的稳定性和可靠性。 - 紧凑封装：适合空间受限的应用环境。 - 高性价比：广泛应用于对成本敏感的消费类电子产品。 总之，DDTD122LC-7-F凭借其优异的性能和可靠性，适用于多种低功耗、小信号处理的场景，是许多电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 PRE-BIAS NPN 500mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDTD122LC-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDTD122LC-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DDTD122LC-FDIDKR |
| 典型电阻器比率 | 0.022 |
| 典型输入电阻器 | 220 Ohms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 220 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | DDTD122L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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