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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTD713ZETL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTD713ZETL价格参考。ROHM SemiconductorDTD713ZETL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTD713ZETL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTD713ZETL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTD713ZETL 是由 Rohm Semiconductor(罗姆半导体) 生产的一款 预偏置双极性晶体管(BJT),属于单晶体管结构。该器件集成了一个晶体管和内置的偏置电阻,简化了外部电路设计,提高了稳定性和可靠性。 主要应用场景包括: 1. 数字开关电路 由于其内置偏置电阻,适用于逻辑控制的开关应用,如微控制器输出驱动、继电器或LED的控制等。 2. 信号放大电路 可用于音频信号或模拟信号的小信号放大,适合低功耗便携设备中使用。 3. 电源管理电路 在DC-DC转换器、负载开关或电源切换电路中作为控制元件使用,有助于提高系统效率。 4. 工业自动化控制系统 应用于传感器信号处理、执行器驱动、PLC模块等工业场景,具备良好的稳定性和抗干扰能力。 5. 消费类电子产品 如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中的接口电路或外围控制电路。 6. 汽车电子 满足AEC-Q101车规认证的型号可用于车载控制模块、灯光控制、传感器接口等场景。 特点优势: - 内置偏置电阻,减少外围元件数量; - 封装小巧,节省PCB空间; - 高可靠性和稳定性,适用于多种环境; - 易于使用,适合大批量生产。 综上,DTD713ZETL 广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域,特别适合需要小型化、高稳定性和简化设计的电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTD713ZETL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTD713ZETL |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 140 @ 100mA,2V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | EMT3 |
| 典型电阻器比率 | 10 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 封装/箱体 | EMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 140 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 260MHz |