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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA114EET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA114EET1G价格参考。ON SemiconductorDTA114EET1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTA114EET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTA114EET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTA114EET1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,常用于数字开关和放大电路中。 该器件主要应用于以下场景: 1. 逻辑电路与开关控制:由于其内置偏置电阻,适合用于逻辑控制的开关电路中,如驱动继电器、LED、小型电机等负载。 2. 电源管理电路:可用于电源开关、负载切换和电压调节等场景,特别是在便携式设备中实现节能控制。 3. 汽车电子系统:如车载传感器控制、车灯控制模块、电机驱动等,满足汽车电子对稳定性和可靠性的要求。 4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能家电等设备中的信号处理和电源控制部分。 5. 工业自动化控制:用于PLC、传感器接口、继电器驱动等工业控制模块中。 该晶体管采用SOT-23小封装,适合高密度PCB布局,具有良好的热稳定性和响应速度,广泛适用于中低功率的通用开关和放大应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTA114EET1G- |
数据手册 | |
产品型号 | DTA114EET1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
其它名称 | DTA114EET1G-ND |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 0.2 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | SC-75-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 |
系列 | DTA114EE |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |