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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMUN2134LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMUN2134LT1G价格参考。ON SemiconductorSMMUN2134LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMMUN2134LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMMUN2134LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SMMUN2134LT1G 的晶体管,属于 ON Semiconductor(安森美半导体)旗下的 预偏置双极性晶体管(BJT),其主要特点是集成了内部偏置电阻,简化了外围电路设计。该器件常用于以下几种典型应用场景: 1. 开关电路:适用于数字电路中的开关控制,如逻辑电平转换、继电器或LED的驱动控制等。 2. 放大电路:可用于低频小信号放大,如音频信号前置放大、传感器信号调理等。 3. 电源管理:在电源管理系统中作为负载开关或电流控制元件,实现对负载的通断控制。 4. 马达驱动:用于小型直流马达的驱动控制,如玩具、风扇、泵等消费类或工业类设备。 5. 汽车电子:由于其封装小型化和可靠性较高,适合用于汽车控制系统中,如车灯控制、电动窗、传感器驱动等。 6. 便携式设备:因集成偏置电阻可减少外围元件数量,适合用于空间受限的便携设备中,如智能手机、穿戴设备、电池管理系统等。 总结:SMMUN2134LT1G 适用于需要简化设计、节省PCB空间并要求稳定偏置的中低功率应用场合,尤其适合消费电子和汽车电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMMUN2134LT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
频率-跃迁 | - |