Datasheet下载- 型号： PDTC115EM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC115EM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC115EM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC115EM,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC115EM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC115EM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC115EM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极间电阻（R₁=100 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=100 kΩ），采用SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装。 其典型应用场景包括： ✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动：如将微控制器（MCU）的3.3V/5V GPIO信号可靠驱动至LED、继电器或小功率MOSFET栅极； ✅ LED恒流/开关控制：利用其预偏置结构简化外围电路，直接连接MCU输出即可实现LED亮灭控制，广泛用于消费电子背光、状态指示灯等； ✅ 低功耗开关应用：最大连续集电极电流IC达100 mA，饱和压降VCE(sat)低（典型0.1 V @ IC=10 mA），适合电池供电设备（如IoT传感器节点、遥控器、可穿戴设备）中的负载开关； ✅ 反相器与简单逻辑功能：配合上拉电阻可构成单管反相缓冲器，用于信号整形或噪声抑制； ✅ 替代传统分立偏置BJT方案：节省PCB面积与BOM成本，提升生产良率与一致性，适用于高密度、低成本便携式电子产品。 该器件工作温度范围为−65°C 至 +150°C，符合AEC-Q101（汽车级）标准，亦可用于工业控制及车载信息娱乐系统中的非安全关键开关功能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC115EM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-2144-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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