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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124XMB,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124XMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA124XMB,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA124XMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA124XMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA124XMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极电阻(R₁=22 kΩ,R₂=47 kΩ),采用超小型 SOT-883(0.6×0.3×0.3 mm)封装,适用于空间受限的便携式电子设备。 其典型应用场景包括: ✅ 数字逻辑电平转换与接口驱动:如将 1.8V/3.3V MCU GPIO 信号安全驱动至 5V 负载,内置偏置电阻简化外围电路; ✅ LED 指示灯开关控制:低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA)和高电流增益(hFE ≥ 80),支持高效、低功耗 LED 开关; ✅ 小信号负载开关与继电器驱动:可直接由微控制器驱动,控制蜂鸣器、小型电磁阀或固态继电器等中低功率负载; ✅ 电池供电设备中的省电开关电路:超低待机电流(ICEO < 100 nA)、高输入阻抗及无需外置偏置电阻,显著降低BOM成本与PCB面积,延长电池寿命; ✅ 消费类与IoT终端:广泛用于智能穿戴、无线模块(如BLE/Wi-Fi模组)、传感器节点、遥控器、TWS耳机充电仓等对尺寸、功耗和可靠性要求严苛的场景。 该器件符合AEC-Q200(部分批次),具备良好ESD防护(HBM ±4 kV),工作温度范围为−55°C 至 +150°C,适合工业及汽车级边缘应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PDTA124XMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B(0.6x1) |
| 其它名称 | 934065883315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |