Datasheet下载- 型号： NSBA115TF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA115TF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA115TF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA115TF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA115TF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA115TF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA115TF3T5G是一款预偏置双极晶体管（BJT），属于集成电阻型晶体管，内置基极-发射极电阻，简化电路设计。该器件采用SOT-563封装，体积小巧，适用于高密度贴装场景。 其主要应用场景包括：便携式电子设备中的信号开关与电平转换，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；在电源管理电路中用于LED驱动控制或小电流负载开关；工业及消费类电子产品中的逻辑缓冲与驱动电路；还可用于传感器信号调理、接口电路隔离以及微控制器I/O扩展等场合。 由于内置偏置电阻，NSBA115TF3T5G无需外接基极电阻，减少了外围元件数量，提高了系统可靠性并节省PCB空间。其开关响应速度快，功耗低，适合电池供电设备以延长续航时间。此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，广泛应用于注重小型化、高效率和可靠性的现代电子系统中。 综上，NSBA115TF3T5G特别适用于空间受限、追求简洁设计和稳定性能的消费电子与工业控制领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA115TF3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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