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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTD133HC-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTD133HC-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTD133HC-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDTD133HC-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTD133HC-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DDTD133HC-7-F 是 Diodes 公司生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),主要用于需要高稳定性和快速开关性能的电路中。该器件集成了内置偏置电阻,简化了电路设计,减少了外部元件数量,提高了系统可靠性。 其主要应用场景包括: 1. 数字开关电路:适用于需要高速开关的数字控制电路,如电源开关、逻辑电平转换等; 2. 驱动电路:常用于驱动 LED、继电器、小型电机等负载,尤其适合需要稳定电流控制的场合; 3. 信号放大:在低噪声前置放大电路或中频放大电路中作为信号放大元件; 4. 嵌入式控制系统:广泛应用于工业自动化、消费电子、汽车电子等领域中的嵌入式系统,用于实现信号处理与控制功能; 5. 便携设备:由于其小型封装和低功耗特性,适用于电池供电设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。 总之,DDTD133HC-7-F 凭借其集成设计和优良性能,适用于多种通用和高精度控制场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DDTD133HC-7-F |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 56 @ 50mA,5V |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 3.3k |
频率-跃迁 | 200MHz |