Datasheet下载- 型号： MUN5133T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5133T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5133T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5133T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5133T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5133T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5133T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻的NPN晶体管，适用于多种中小功率开关和信号放大应用。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。 典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压逻辑之间的信号转换，如将3.3V MCU信号控制5V负载。 2. 驱动LED或小型继电器：其内置偏置电阻简化了外部电路设计，可直接通过微控制器I/O引脚驱动LED或低功耗继电器。 3. 电源开关控制：用于开启/关闭电源模块或负载，实现节能管理。 4. 传感器信号开关：在各类传感器模块中作为开关元件，控制信号通断。 5. 便携式电子设备：由于其低功耗和小尺寸特性，广泛应用于手机、平板、可穿戴设备等消费类电子产品中。 MUN5133T1G的优势在于集成两个偏置电阻（上拉和串联电阻），减少了外围元件数量，提高了系统可靠性，同时降低了设计复杂度与成本。其最大持续集电极电流可达100mA，适合中低电流开关场合。工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），可在严苛环境中稳定运行，适用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5133T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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