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产品简介:
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PDTA124EU,135 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置基极-发射极偏置电阻(R1=220 kΩ,R2=220 kΩ)的PNP型数字晶体管(Digital Transistor, DTR),属于预偏置双极结型晶体管(BJT)单管。其典型应用场景包括: 1. 逻辑电平接口转换:直接接收3.3V/5V TTL或CMOS输出信号,驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等负载,无需外置偏置电阻,简化PCB设计; 2. LED驱动电路:常用于低电流指示灯(如面板状态灯),典型Ic可达100mA,具备良好开关特性与饱和压降低(VCE(sat) ≈ 0.1V @ Ic=10mA); 3. 微控制器IO扩展:在MCU GPIO驱动能力不足时,作为电流放大开关,控制蜂鸣器、小型电磁阀等中等负载; 4. 电池供电设备中的省电开关:因内置下拉电阻(R2),关断时确保可靠截止,降低静态功耗,适用于便携式仪器、IoT传感器节点等; 5. 反相器/电平反相应用:利用PNP结构实现输入高电平输出低电平的简单逻辑反相功能。 该器件采用SOT-323(SC-70)微型封装,适合高密度贴片布局;工作温度范围-65°C至+150°C,具备一定工业级可靠性。注意其为PNP型,需注意电源极性及驱动逻辑方向。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA124EU,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934044110135 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |