ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 > DDTC122LE-7
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
DDTC122LE-7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC122LE-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC122LE-7价格参考。Diodes Inc.DDTC122LE-7封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200MHz 150mW 表面贴装 SOT-523。您可以下载DDTC122LE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTC122LE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDTC122LE-7是一款预偏置双极性晶体管(BJT),常用于需要稳定偏置和快速开关特性的电路中。该器件将一个BJT晶体管与内置偏置电阻集成在一个封装中,简化了电路设计,减少了外部元件数量,提高了可靠性。 DDTC122LE-7主要应用于以下场景: 1. 数字开关电路:适用于需要晶体管进行数字信号控制的场合,如逻辑控制、驱动LED、继电器或小型负载。 2. 电源管理电路:用于电源开关、负载切换或电池供电设备中的功率控制。 3. 传感器接口电路:在传感器信号调理或驱动电路中作为开关或放大元件。 4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、穿戴设备等,用于控制外围设备或电源路径管理。 5. 工业控制系统:用于工业自动化设备中的继电器驱动、电机控制或状态指示。 由于其内置偏置电阻,DDTC122LE-7可直接由微控制器或其他数字输出驱动,无需额外设计偏置电路,适用于空间受限、要求高集成度的设计环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Diodes/ZetexDiodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DDTC122LE-7DDTC122LE-7 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | -- |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 56 @ 10mA,5V56 @ 10mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | SOT-523SOT-523 |
其它名称 | DDTC122LEDICT |
功率-最大值 | 150mW150mW |
包装 | 带卷 (TR)剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-523SOT-523 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压NPN - 预偏压 |
标准包装 | 13,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 220220 |
频率-跃迁 | 200MHz200MHz |