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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114YU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114YU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114YU,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 200mW Surface Mount SOT-323-3。您可以下载PDTC114YU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC114YU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC114YU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(Digital Transistor, DTR),属于预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT)。其内部集成一个 10 kΩ 输入电阻(R1)和一个 10 kΩ 上拉/反馈电阻(R2),构成典型的“带基极-发射极偏置电阻的NPN开关管”。 主要应用场景包括: ✅ 微控制器(MCU)I/O口驱动:可直接由3.3V或5V逻辑电平控制,无需外接偏置电阻,简化PCB设计,常用于驱动LED、小型继电器、蜂鸣器等低功率负载。 ✅ 电平转换与信号开关:在不同电压域间实现简易单向电平切换(如1.8V MCU控制5V外围电路)。 ✅ 数字逻辑接口缓冲/反相:利用其饱和开关特性,实现信号整形或反相功能(输出为集电极开路,需外接上拉)。 ✅ 消费电子与家电控制板:如打印机、机顶盒、智能插座、LED照明驱动等对成本、尺寸和可靠性敏感的中低功耗场景。 ✅ 工业IoT节点输入/输出扩展:作为GPIO扩展的简易开关元件,提升系统驱动能力。 该器件具有SOT323超小型封装、高直流电流增益(hFE ≈ 60–120 @ Ic=5mA)、快速开关特性(tON/tOFF < 100ns)及ESD防护(HBM > 4kV),适合高密度、自动化贴装的量产应用。注意:不适用于线性放大或大电流(>100mA)持续负载场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN W/RES 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC114YU,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC114YU,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-8092-2 |
| 典型电阻器比率 | 0.213 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC114YU T/R |
| 频率-跃迁 | 230MHz |