Datasheet下载- 型号： PDTA113ZE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA113ZE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA113ZE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA113ZE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA113ZE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA113ZE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PDTA113ZE,115 的晶体管，属于 预偏置双极型晶体管（BJT），由 NXP USA Inc. 生产。该器件集成了一个晶体管和一个内置偏置电阻网络，简化了电路设计，提高了稳定性和可靠性。 主要应用场景包括： 1. 数字开关电路：适用于需要高速开关控制的场合，如逻辑电平转换、继电器或LED驱动。 2. 电源管理电路：用于电源控制、负载开关或电池供电设备中的电流控制。 3. 汽车电子系统：如车身控制模块、照明系统、传感器接口等，得益于其高可靠性和内置电阻带来的简化设计。 4. 工业控制设备：例如PLC输入输出接口、小型继电器驱动电路。 5. 消费类电子产品：用于小型家电、智能控制器、充电设备等对空间和设计复杂度有要求的场合。 该晶体管因其集成化设计，减少了外围元件数量，降低了设计难度，适用于中低功率的通用开关和放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA113ZE,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 934058803115 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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