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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5113T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5113T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5113T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMUN5113T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMUN5113T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的SMUN5113T1G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),属于单NPN型晶体管,内置偏置电阻,简化了外围电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和中低功率开关电路中。 典型应用场景包括:手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的信号切换与逻辑控制;LED驱动电路中的开关元件;电源管理模块中的电平转换与小电流开关;以及各类小型家电、工业控制板和通信设备中的接口驱动与信号放大。 由于其内置偏置电阻,SMUN5113T1G无需外接基极电阻,有效节省PCB空间,特别适用于高密度贴装的便携设备。同时,该器件采用SOT-457封装,体积小巧,适合自动化贴片生产。其工作温度范围宽(-55°C 至 +150°C),具备良好的热稳定性和可靠性,可在较严苛环境中稳定运行。 综上,SMUN5113T1G适用于对空间、功耗和可靠性有要求的低功率开关与信号控制场景,是现代电子系统中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMUN5113T1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
功率-最大值 | 202mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
频率-跃迁 | - |